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英特尔中止10nm曝光,样品包含3个小芯片。

更新时间:2022-12-31 05:02:28作者:51data

最近,基于Cannon Lake架构的英特尔CPU样品在网络上问世,设计为10纳米芯片的CPU采用了3芯片设计。 英特尔可能会在未来的处理器中采用小芯片/混合设计。

英特尔中止10nm曝光,样品包含3个小芯片。

根据英特尔10nm Cannon Lake-Y“特殊样品”CPUYuuKi_AnS显示的图像,上述SKU是仅在内部使用的“特殊样品”系列的一部分。 因为这个特定的芯片从未零售过,所以我们可以假设这些特殊的芯片用于测试和内部测试目的,而不是一般的营销。

根据Angstronomics的SkyJuice分析,这里的CPU样品图像为3-die MCP (多芯片处理器),采用BGA1392封装,尺寸为28mmx16.5mm。 封装有三个小芯片,10nm CPU芯片是这三个芯片中最大的,大小为70.5mm2,其次是大小为46.17mm2的PCH芯片,最后是大小为13.72mm2的McIVR芯片。 第三个小芯片是几年前英特尔的Haswell (和Devil& #039; s Canyon )的第四代CPU体系结构中产生的CPU的IVR )。 但由于有额外的芯片,Cannon的实现被称为多芯片集成稳压器( McIVR )。 McIVR需要处理两个小芯片之间的电压调节,但英特尔随后也考虑选择FIVR,将DLVR用于新一代设计。 IVR于2013年首次以英特尔的第四代Haswell架构出道。 IVR改变了主板和处理器处理电力传输的方式。 将处理器电压调节直接从主板转移到处理器芯片。 英特尔表示,这大大简化了Haswell平台的电源设计,IVR可以将主板上的5个调节器替换为CPU内部的1个。 此设计的另一个优点是对处理器进行更精细的电压控制。 但最终由于不明原因,英特尔在第五代Broadwell芯片后,取消了主要台式机架构上的所有IVR。 但是,其去除被认为与热问题和芯片尺寸的限制有关。 不过,在Haswell之后,IVR重新出现在其他架构中,包括一些移动架构和英特尔的Skylake-X HEDT架构。 Intel还计划将IVR集成到Cannon Lake移动处理器中,该原型是这个想法的证明。 但是,Cannon Lake中IVR的独特之处在于多芯片的实现。 在英特尔看来,该方法很有意义,可以大大改善芯片的电压容限和温度限制。 由于笔记本电脑的处理器散热器比台式机散热器小得多,因此处理器应该具有尽可能高的散热效率。 它通过将IVR移动到另一个芯片并将热量分散到另一个区域,使CPU冷却器能够更有效地处理热传递。 以前的IVR设计,特别是在Haswell上的设计,使芯片特别热。 因为CPU冷却器目前必须处理来自镇流器、CPU内核、集成显卡和CPU高速缓存组合的热量。 英特尔Cannon Lake-Y 10nm CPU系列只发布了两个SKU :酷睿i3-8121 u和M3-8114Y。 两者都包括两个四线程的Palm Cove内核,但仅在少数笔记本电脑和NUC上可用。 很遗憾,这种3芯片设计从未发售过。 10nm Cannon Lake CPU是最早在10nm工艺节点上制造的芯片,但由于与产量相关的一些问题,行业发展后CPU进入了市场。 因此,英特尔自身正在尝试在未来几年内用Ice Lake和Tiger Lake CPU替换这个家庭。 这意味着Cannon Lake的寿命很短。

英特尔10纳米之路英特尔首次发布10纳米工艺是在2015年7月。 当时,英特尔指出该工艺存在多路径缺陷密度高、成品率低的问题。 而且,10nm (品名: Cannon Lake )的量产时间是2017年下半年,比原计划晚了一年左右。 2018年初,英特尔宣布:“Cannon Lake已经开始小规模量产,预计2018年下半年开始量产。” 但是,2018年4月,英特尔宣布“由于成品率低,10nm工艺CPU的量产延期到了2019年”。 此后,第二代10nm工艺将于2019年量产(注意,不要与10nm工艺混淆),与第一代10nm工艺技术相比,在许多方面具有明显的优势。 在英特尔首次正式发布2015年( 10纳米的)时间 )之前,英特尔本身就应该已经了解了10纳米工艺的优缺点。 在充分了解风险后,英特尔认识到,未来几年内必须大量生产符合成本、性能和上市要求的CPU时间。 因此,2016年初,英特尔推出了新的基本理念,以引入新的技术、微体系结构。 也就是说,持续了10年的“Tick-Tock模式即将寿终正寝,新的“流程体系结构-优化”( pao )即将问世。 也就是说,通过长期优化微架构,反复改进工艺技术、产品设计。 Brookwood表示,10年来“Tick-Tock”充分发挥了其作用。 但是,由于在14纳米里有点“绊倒”,量产时间延迟了一年,而且在10纳米的工艺下完全“崩溃”。 另一方面,虽然台湾积体电路制造保持两年更新一次的速度,但台湾积体电路制造性能提高速度并不太快,但性能预测精度极高。 事实上,在英特尔还在14纳米“徘徊”的时候,AMD几乎将所有系列产品都委托给了台湾积体电路制造的7纳米工艺生产。 *声明:本文为原作者创作。 文章内容以其个人观点,我方转载只是分享和讨论,并不意味着我方赞成或同意。 有异议的话请联系后台。

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