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充电桩的第一个芯片!东半导登陆科技创新板,市值近百亿元。

更新时间:2023-01-07 09:58:00作者:51data

核心东西(公众号: aichip001 )作者|高歌编辑| Panken核心东西2月10日报道,今日,国产功率半导体厂商东微半导体(股票代码: 688261 )以发行价130元/股登陆科创板。 上市后,东微半导体股价上涨,涨至最高达148元/股,随后下跌。 截至核心东西成文,东微半导报138元/股,涨幅6%,总市值92亿元。

东微半导体产品主要应用于工业和汽车等大中型电力应用领域,是国内少数几个拥有专利批量生产完整经验的高性能功率器件设计公司之一,曾打破国外厂商对充电桩用高压超级结MOSFET器件的垄断市场:根据咨询家公司的Omdia数据,按2019年MOSFET功率器件销售额计算,东微半导体在中国本土制造商中排名第七。 报告期内,东微半导体营收持续增长,2018年-2021年上半年各期营收分别为1.53亿元、1.96亿元、3.09亿元、3.21亿元。 由于东微半导体股权分散,不存在控股股东,其实际控制人为公司联合创始人王鹏飞和龚辔。

东微半导体股权结构此次IPO,东微半导体拟募集资金9.39亿元,包括“超级结和屏蔽栅功率器件产品升级与产业化”、“新型结构功率器件研发与产业化”、“研发工程中心建设”

东微半导体募集资金投资情况

一、创始人在Science上注册,直流充电桩产品击败海外厂商东微半导体独家前身东微有限成立于2008年9月,注册资本10万元,两位联合创始人王鹏飞、龚轶分别认缴5.5万元和4.5万元。 王鹏飞和龚轶两人曾出国留学,先后进入AMD、英飞凌等国际芯片巨头工作。 王鹏飞是德国慕尼黑工业大学博士,在英飞凌内存研发中心任研发工程师,2006年5月任奇梦达技术创新与集成部门研发工程师。 2008年9月,王鹏飞与龚轶共同创办东微有限; 2009年6月,王鹏飞成为复旦大学微电子学院教授,并于2013年研制出世界上第一个半浮置栅晶体管( SFGT,Semi-FloatingGate Transistor )。 文章发表在顶级学术杂志Science上,这是我国微电子领域的研究首次亮相Science,新闻联播和人民日报,)。 截至2021年4月,王鹏飞任东微半导体首席技术官。

龚轶是英国纽卡斯尔大学的硕士学位,曾在AMD、英飞凌担任工程师和技术专家,截至2020年11月,龚轶出任东微半导体董事长兼总经理。

东微半导体董事长、总经理龚轶于2016年4月,东微半导体自主研发的650V、80A实现了GreenMOS产品量产,进入直流充电桩领域,打破了海外厂商在该领域的垄断。

二、半年营收超过3亿元,产品性能对比氮化镓器件报告期内,东微半导体营收持续增长,2018年-2020年营收分别为1.53亿元、1.96亿元和3.09亿元,复合增长率为42.11% 2021年上半年,东微半导体实现营收3.2020亿元,超过2020年全年营收。 利润方面,东微半导体2018年-2020年净利润分别为1297.43万元、911.01万元、2768.32万元。 2021年上半年,东微半导体净利润达到5180.53万元。

在东微半导体2018年-2021年上半年营收和净利润变化的主营业务中,东微半导体的主要收入来源是高压超结MOSFET器件,2018年-2020年均超过80%。 其产品主要分为MOSFET和IGBT两大类,其中MOSFET产品分为高压超结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET和超硅MOSFET三大类,其IGBT产品采用不同于国际主流自研的TGBT器件结构。 2020年,东微半导体IGBT产品尚未实现营收。

2020年东微半导体主营业务收入比例具体为:东微半导体高压超结MOSFET工作电压400V以上,可用于工业LED照明、新能源汽车充电桩等,具有高频、驱动简单、耐磨等特点; 其中低压屏蔽栅MOSFET器件一般工作电压覆盖25V-150V,主要应用于电池保护、电机驱动器等; 东微半导体IGBT产品工作电压为600V-1350V,适用于新能源汽车充电桩、变频调速、变频调速、电机驱动、电焊机、太阳能等领域。

东微半导体产品及应用范围东微半导体超级硅MOSFET自主研发,瞄准氮化镓功率器件。 出版社表示,通过调整器件结构和优化制造工艺,其超级硅MOSFET产品突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈,在电源应用上达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。 与氮化镓功率器件相比,该产品具有工艺成熟度高、成本低、可靠性高等优势,东微半导体正在推进12英寸生产线上超级硅系列产品的批量生产。

东微超级硅65W PD快充DEMO与苹果30W充电器体积对比(来源:东微半导体)报告期内,东微半导体前五大客户包括凯氏电子、睿创电子等,主要以经销商为主,其主要

东微半导体2018年-2021年上半年前五大客户由于东微半导体采用无晶片模式,不直接从事芯片生产和加工环节,主要购买内容为晶片和封装服务。 报告期内,华虹半导体是其主要晶圆供应商,2018年-2020年东微半导体对华虹半导体的晶圆采购金额占总采购金额的比例均在80%以上。 东微半导体的主要封顶服务供应商为天水华天,报告期内采购金额占10%以上。

东微半导体2018年-2021年上半年前五大供应商

三、本土MOSFET厂商销售额排名第七,研发人员46%占功率半导体领域,国际厂商优势明显,全球前十大功率半导体公司均为英飞凌、德州仪器、安森美、意大利半导体、阿多诺、高通、高通目前,东微半导体的主要收入来源是硅基MOSFET产品,单一产品类别收入较高。 在与行业龙头竞争时,东微半导体在IGBT、功率器件模块等方面技术储备不足,品牌知名度和影响力处于劣势。

同时,功率器件正在向第三代半导体材料的方向发展,东微半导体已经有碳化硅功率器件的样品,但在第三代半导体材料的研发布局上落后于国际巨头,未来存在竞争风险。 国内,东微半导体是少数集中在工业级高压超结MOSFET领域的半导体厂家,其高压超结MOSFET产品在TO247封装内同时实现了650V耐压平台和最低14mohm导通电阻的标准,性能方面已经接近国际先进水平2016年4月,东微半导体推出的GreenMOS系列超级结MOSFET产品打破了国外厂商在充电桩功率器件领域的垄断地位。 Omdia表示,2019年全球MOSFET销售额为84.20亿美元,东微半导体MOSFET产品销售额为2843万美元,在国内制造商中排名第七,占据全球0.34%的市场份额。

2019年中国本土领先功率半导体制造商MOSFET功率器件全球销售收入报告期内,东微半导体各期毛利率分别为26.38%、14.93%、17.85%、26.75%。 与新洁能、华微电子、华润微、扬杰科技、士兰微等国内同行其他公司相比,东微半导体毛利率变化趋势一致,但总体毛利率水平存在差异。

对比东微半导体与同行业其他公司的毛利率招股书显示,这主要是因为主营业务的产品结构和生产经营模式不同,如华微电子、华润微和士兰微等比较公司采用IDM模式,与晶圆外部采购无关,毛利率受外部影响较低; 华微电子、华润微、扬杰科技和士兰微等种类相对多于公司产品,产品结构相对复杂,不同于东微半导体专注于MOSFET产品的经营策略。 值得注意的是,东微半导体研发人员占员工总数的比重高达46%,但由于公司规模小,其研发人员数量只有31人,低于许多国内同行上市公司。 除首席技术官王鹏飞外,东微半导体核心技术人员还包括研发总监刘磊、资深研发工程师刘伟、资深研发工程师毛振东。 刘磊硕士毕业于安徽大学电路与系统学院,2007年9月至2009年7月任华润上华半导体科技有限公司技术转移部技术集成工程师; 2009年7月加入东微有限公司。 刘伟本科毕业于南京邮电大学微电子专业,曾在东莞奇力新电子有限公司、苏州可胜科技有限公司任工程师。 2009年8月,刘伟加入东微有限公司。 毛振东是中国科学院大学集成电路设计学院硕士学历,曾任职于华晶电子集团、华润上华科技有限公司、苏州硅能半导体科技股份有限公司。 2015年3月加入东微有限公司。 报告期内,东微半导体研发投资分别为1603万元、1202万元、1599万元和1650万元,占营收的比重分别为10.49%、6.13%、5.18%、5.14%。 截至2021年6月30日,东微半导体已获批准专利53项,包括国内发明专利37项、实用新型专利1项、国外专利15项。

东微半导体研发投入和占有率情况

四、联合创始人为实际控制人,曾接受华为哈勃投资,由于股权分散,东微半导体没有控股股东。 其实际控制人为共同创始人王鹏飞和龚辕,直接或间接持股,通过一致行动共同控制合计43.51%的股份。 自200年成立以来,东微半导体已获得多项融资,投资者包括元禾资本、国中创投、中兴创投、中心聚源、华为哈勃投资等行业知名投资机构。 此次IPO发行前,持有东微半导体5%以上股份的非个人股东有原点创投、聚电、中新创投和哈勃投资4家,分别为15.18%、9.95%、7.12%、6.59%的股份

东微半导体株状况

结语:东微半导体上市或弥补经营规模缺陷的东微半导体联合创始人王鹏飞曾先后在英飞凌、奇梦达、复旦大学等国内外企业和学校任职,具有较强的研发实力。 同时,东微半导体自研MOSFET产品性能优异。 但与国内外行业龙头相比,东微半导体经营规模较小,研发投入和人员数量存在不足。 此次上市后,东微半导体将弥补这一缺陷,加强研发投入和经营规模,扩大国产功率半导体的市场份额。

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